Компания Toshiba представила флеш память XL-FLASH. Память класса хранилища XL-FLASH предлагается для использования в хранилищах информации. Решение создано на основе собственной технологии Toshiba — 3D флеш памяти BiCS FLASH.

Флеш память Toshiba XL-FLASH высокой производительности

Компания Toshiba Memory Europe объявила о начале производства нового типа памяти XL-FLASH. Решение относится к памяти класса хранилища, Storage Class Memory. При разработке использовалась технология 3D-флеш-памяти BiCS FLASH. В предложенном типе памяти 1 бит данных размещают в одной ячейке. Такой способ хранения информации обеспечивает низкую задержку при доступе к данным и высокую производительность систем. Решения с такими характеристиками востребованы в дата-центрах (ЦОД) и корпоративных хранилищах данных.

Toshiba XL-FLASH и NAND-память

Toshiba XL-FLASH — это новая NAND-память. Особенностью этой памяти является высокая производительность и экономическая эффективность при хранении информации. Технология снижает задержку при доступе к данным.

Что такое память класса хранилища

Память класса хранилища — это энергонезависимая память. Память XL-FLASH способна сохранять содержимое ячеек аналогично флеш-памяти NAND.

Благодаря предложенной архитектуре устраняется разрыв в производительности между памятью типов DRAM и NAND. Энергозависимая память, например DRAM, обеспечивает высокую скорость доступа к данным, что критично для работы таких приложений, как базы данных, транзакционные сервисы и т. п. Но использование оперативной памяти DRAM связано с высокими затратами.

Память класса хранилища (SCM) позволяет решить эту проблему. Решение экономически эффективное, используется энергонезависимая флеш-память NAND с высокой плотностью хранения данных.

Прогноз IDC по рынку устройств с использованием памяти класса хранилища

Аналитическая компания IDC прогнозирует расширение рынка SCM-устройств, использующих память класса хранилища, до 3 миллиардов долларов США в 2022 году.

Преимущества флеш памяти Toshiba XL-FLASH

Решение XL-FLASH занимает промежуточное положение между DRAM и флеш-памятью NAND. Преимуществами по сравнению другими технологиями является рост скорости, снижение задержки и увеличение объемов хранимых данных. Стоимость решения XL-FLASH ниже, чем у традиционной DRAM-памяти.

Формат устройств на основе флеш памяти Toshiba

XL-FLASH будут выпускать в формате дисков SSD (Solid State Disk). В дальнейшем предполагается выпуск в формате устройств, подключенных к каналу памяти на шине DRAM. Это могут быть энергонезависимые двухрядные модули памяти (NVDIMM).

Аксель Штёрманн (Axel Stoermann), вице-президент компании Toshiba Memory Europe, так прокомментировал выпуск нового продукта:

«XL-FLASH — самое высокопроизводительное выпускаемое сегодня NAND-решение благодаря нашей флеш-памяти BiCS FLASH, работающей в режиме SLC. Размещая в ячейке только один бит, нам удалось значительно повысить производительность. А поскольку память XL-FLASH основана на проверенных технологиях, которые уже используются в серийном производстве, применяя XL-FLASH в качестве решения в сфере памяти класса хранилища, наши клиенты смогут сократить время вывода продукции на рынок».

Начало поставок флеш памяти Toshiba

Поставки ознакомительных образцов XL-FLASH от Toshiba начнут в сентябре 2019 года. Начало серийного производства запланировали на 2020 год.

Фото: пресс-материалы Toshiba.